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IT采購網(wǎng)8月9日消息，韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士(SK Hynix)在當日宣布取得了重大突破，成功發(fā)布了全新的321層1Tb TLCNAND閃存。這一進展讓SK海力士成為全球首家正式開發(fā)300層以上NAND閃存的公司。

這項突破性的技術(shù)成果標志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域取得了巨大的進步。與上一代的238層512Gb NAND相比，這款321層1Tb TLCNAND的效率提升了驚人的59%。SK海力士通過增加每個芯片中存儲單元的數(shù)量和層數(shù)，從而在相同大小的芯片上實現(xiàn)了更大的存儲容量。這不僅提高了單片的存儲能力，還有效地提升了每個晶圓上芯片的產(chǎn)量。

SK海力士計劃在2025年上半年開始量產(chǎn)這款321層1Tb TLC NAND閃存，為市場提供更大容量、更高效率的存儲解決方案。

據(jù)IT采購網(wǎng)了解，除了這一突破性的321層1Tb TLCNAND閃存，SK海力士還推出了適應(yīng)不同需求的下一代NAND產(chǎn)品。其中，企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)采用了PCIe5(Gen5)接口，為企業(yè)級用戶提供更快速的數(shù)據(jù)傳輸能力。此外，UFS 4.0也將成為移動設(shè)備領(lǐng)域的亮點，為手機等設(shè)備帶來更高速的閃存存儲性能。

SK海力士表示，公司將繼續(xù)在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上不斷優(yōu)化產(chǎn)品，并積極投入下一代產(chǎn)品的研發(fā)。他們正致力于開發(fā)適應(yīng)未來市場需求的PCIe 6.0和UFS5.0產(chǎn)品，為行業(yè)的發(fā)展引領(lǐng)潮流。這一系列的創(chuàng)新舉措將進一步鞏固SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，為全球科技發(fā)展貢獻重要力量。